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GaN/氮化鎵 - MGZ31N65

  • GaN/氮化鎵
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650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
非常低的QRR
減少交叉損失
符合RoHS標準和無鹵素要求的包裝

產(chǎn)品型號:
MGZ31N65
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產(chǎn)品介紹

GaN,中文名:氮化鎵,常溫常壓下是纖鋅礦結(jié)構(gòu)。是現(xiàn)今半導(dǎo)體照明中藍光發(fā)光二極管的核心材料。工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設(shè)備來外延生長。

GaN半導(dǎo)體材料有二種基本結(jié)構(gòu):纖鋅礦(Wurtzite, WZ)和閃鋅礦(Zinc blende, ZB)。常溫常壓下惟有纖鋅礦結(jié)構(gòu)為穩(wěn)定相。纖鋅礦結(jié)構(gòu)由兩套六角密堆積子格子沿c軸方向平移3c/8 套構(gòu)而形成,所屬空間群為或P63mc。


一、GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的特性:

650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V
非常低的QRR
減少交叉損失
符合RoHS標準和無鹵素要求的包裝


二、GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的應(yīng)用:

電源適配器

低功耗SMPS

照明設(shè)備

ISweek 工采網(wǎng)的所有產(chǎn)品均來自于原始生產(chǎn)廠商直接供貨,非第三方轉(zhuǎn)售。

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