甚高頻數(shù)字單端電容處理器芯片 - MCP62/MCP62G
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? 電容檢測前端
– 測量單端電容
– 電容測量范圍：0~150pF
– 電容檢測頻率：10~100MHz
? 內(nèi)核與系統(tǒng)
– 32-bit Arm?Cortex?-M0
– 工作頻率可達(dá) 48MHz
產(chǎn)品介紹
MCP62系列(Mysentech Capacitive Processor)是敏源傳感推出的新一代電容傳感微處理器 SOC芯片，集成了雙通道電容型模擬前端傳感電路(AFECAP)，可直接與被測物附近的單端對地電容極板相連，通過諧振激勵并解算測量微小電容的變化。激勵頻率在 10~100MHz 范圍內(nèi)可配置，其頻率測量輸出為 16bit 數(shù)字信號，對應(yīng)的電容感知較高分辨率為 1fF。
為了解決各行業(yè)的電容傳感應(yīng)用，SOC 芯片集成了Arm? Cortex?-M0 內(nèi)核的微處理器，可實(shí)現(xiàn)各種嵌入式感知處理的算法，將原始的振蕩頻率數(shù)值，轉(zhuǎn)換成電容值及液位、含水率、位移距離等具體物理量。此外，芯片的模擬前端還集成了溫度傳感電路，可用于進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)膫鞲袌鼍啊?nèi)置的16KB Flash 存儲器，2KB SRAM，可讓開發(fā)者編寫應(yīng)用軟件，并存儲傳感校準(zhǔn)及應(yīng)用數(shù)據(jù)。
芯片同時(shí)集成了 ADC、高級定時(shí)器、通用定時(shí)器、位基本定時(shí)器等硬件資源以及 USART、SPI 和 I2C接口。
特性：
? 電容檢測前端
– 測量單端電容
– 電容測量范圍：0~150pF
– 電容檢測頻率：10~100MHz
? 內(nèi)核與系統(tǒng)
– 32-bit Arm?Cortex?-M0
– 工作頻率可達(dá) 48MHz
? 存儲器
– 16KB Flash 存儲器
– 2KB SRAM
? 時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理
– 2.5V~5.5V 供電
– 上電/斷電復(fù)位（POR/PDR）、可編程電壓監(jiān)測器（PVD）
– 內(nèi)嵌 48MHz HSI 高速振蕩器
– 內(nèi)嵌 40KHz LSI 低速振蕩器
– 支持較高 48MHz 外部時(shí)鐘輸入（HSE，通過 OSCIN 引腳）
? 低功耗
– 多種低功耗模式，包括：睡眠（Sleep）、停機(jī)（Stop）和深度停機(jī)（Deep Stop）
– 平均工作功耗：15uA @1Hz
? 5 個(gè)定時(shí)器
– 1 個(gè) 16 位 4 通道高級控制定時(shí)器（TIM1）
– 1 個(gè) 16 位 4 通道通用定時(shí)器（TIM3）
– 1 個(gè) 16 位基本定時(shí)器（TIM14）
– 1 個(gè)獨(dú)立時(shí)鐘的硬件看門狗定時(shí)器（IWDG）
– 1 個(gè) Systick 定時(shí)器：24 位自減型計(jì)數(shù)器
? 11 個(gè)快速 I/O 端口
– 所有 I/O 口可以映像到外部中斷
– 所有端口均可輸入輸出電壓不高于 VDD的信號
? 3 個(gè)通信接口
– 1 個(gè) USART 接口（支持 SPI 模式）
– 1 個(gè) I2C 接口
– 1 個(gè) SPI 接口
? 1 個(gè) 12 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），支持較快 1μs 轉(zhuǎn)換時(shí)間（1MSPS 采樣率），配置 5 個(gè)外部通道和 1 個(gè)可采集內(nèi)置參考電壓的內(nèi)部通道
? CRC 計(jì)算單元
? 96 位芯片唯一 ID（UID）
? 調(diào)試模式–串行調(diào)試接口（SWD）接口
? 工作溫度范圍-40℃~+85℃
? QSOP24/QFN24 封裝可選
應(yīng)用：
? 連續(xù)液位檢測
? 含水率檢測
? 水浸檢測
? 物質(zhì)介電檢測
? 位移感知
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